Nexperia et Aurobay Technologies vont explorer les semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC) pour les applications de véhicules électrifiés, en s’appuyant sur un déploiement antérieur de dispositifs Nexperia GaN dans une application d’extension de gamme Aurobay. Le programme couvrira les onduleurs de traction et les systèmes de production d’électricité, les entreprises explorant des approches de co-conception à un stade précoce.
Aurobay Technologies est une division de Horse Powertrain Ltd, une joint-venture entre le groupe Renault et Geely. Le projet précédent a montré que les semi-conducteurs à large bande interdite peuvent réduire la taille et le poids du système tout en améliorant les performances dans les conditions automobiles.
Dans le cadre du nouvel accord, les deux sociétés évalueront les architectures d’électronique de puissance et l’intégration au niveau système. Cette collaboration reflète la demande des constructeurs OEM pour une densité de puissance plus élevée et des groupes motopropulseurs plus compacts.
Dans un communiqué, Edoardo Merli, responsable du Business Group Wide-Bandgap, IGBT et modules chez Nexperia, a déclaré : » Les technologies GaN et SiC offrent des opportunités significatives pour améliorer l’efficacité, la densité de puissance et les performances du système dans les applications automobiles. En travaillant en étroite collaboration avec Aurobay Technologies, nous pouvons mieux comprendre les exigences au niveau du système et évaluer comment les technologies avancées de semi-conducteurs peuvent apporter des avantages mesurables au niveau du véhicule. Nous sommes impatients de tirer parti de notre collaboration fructueuse et d’explorer ensemble de nouvelles opportunités. «
Source : Nexpéria